钛靶的结构发展！

第一阶段：

早期的芯片代工厂有很高的利润率。他们主要使用功率较小的100-150mm磁控溅射机。溅射膜厚，芯片尺寸大。当时，集成电路用钛靶材主要是100-150mm单体和复合靶。

第二阶段：

在第二阶段，根据摩尔定律，芯片线宽度变窄。为了增加利润，芯片代工厂增加了该设备的溅射功率，主要使用了150-200mm的溅射设备。这需要在保持高导热率，低价格和一定强度的同时增加靶的尺寸。在此期间，钛靶材主要由铝合金背板扩散焊接和铜合金背板钎焊和焊接组成。

第三阶段：

在第三阶段，随着集成电路的发展，芯片线的宽度进一步变窄。这时，芯片代工厂主要使用200-300mm的溅射机，对靶材的要求更加严格。在此期间，钛靶材主要由铜合金背板扩散焊接制成。

感谢您阅读本文，并希望您现在对高科技行业的钛靶材有基本的了解。