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钛靶的结构发展!

2021-07-23 16:59:54

第一阶段:

早期的芯片代工厂有很高的利润率。他们主要使用功率较小的100-150mm磁控溅射机。溅射膜厚,芯片尺寸大。当时,集成电路用钛靶材主要是100-150mm单体和复合靶。

第二阶段:

在第二阶段,根据摩尔定律,芯片线宽度变窄。为了增加利润,芯片代工厂增加了该设备的溅射功率,主要使用了150-200mm的溅射设备。这需要在保持高导热率,低价格和一定强度的同时增加靶的尺寸。在此期间,钛靶材主要由铝合金背板扩散焊接和铜合金背板钎焊和焊接组成。

钛靶的结构发展!(图1)

第三阶段:

在第三阶段,随着集成电路的发展,芯片线的宽度进一步变窄。这时,芯片代工厂主要使用200-300mm的溅射机,对靶材的要求更加严格。在此期间,钛靶材主要由铜合金背板扩散焊接制成。

感谢您阅读本文,并希望您现在对高科技行业的钛靶材有基本的了解。


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